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J-GLOBAL ID：201802262487448083   整理番号：18A0446685

金属導電ブリッジRAMの揮発性及び非揮発性スイッチングの背後にある基本的機構【Powered by NICT】

Fundamental mechanism behind volatile and non-volatile switching in metallic conducting bridge RAM

著者 (4件)： Shukla Nikhil (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Ghosh Ram Krishna (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Grisafe Benjamin (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Datta Suman (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 4.3.1-4.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属導電性ブリッジ(CB)RAM中の揮発性及び不揮発性スイッチングのための活性電極(AE)選択基準,クロスポイントセレクタとメモリ用に適したを確立した。第一原理計算を用いて,著者らは:(a)揮発性と不揮発性スイッチングは高抵抗(HRS)状態におけるAE原子のクラスタ配置,及び低抵抗(LRS)状態におけるAE原子のフィラメント配置の間のエネルギー差Aにより決定されることを示した;Aが大きい場合には揮発性スイッチングを達成したが,システムはA~0;場合不揮発性挙動を示すであろう(b)最大LRS(ON状態)電流,揮発性(セレクタ)動作を維持しながら配送されることをImaxはAEのためのの大きさに比例した。分子動力学(MD)+NEGF輸送シミュレーション,実験によって支持されたを用いて,Ag/HfOe2/Ptの揮発性(セレクタ)スイッチング特性,Co/HfO2/Ptの非揮発性(記憶)スイッチング特性を確認し,著者らの基準により予測されるように対応する時間的特性についても評価した。最後に,種々の活性電極(AE)に期待されるスイッチング特性,実験結果と優れた一致を示すを計算した。著者らの知見は,必要なスイッチング特性を有するCBRAMベースセレクタと記憶の設計を可能にする。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 選別器 ,  フィラメント ,  クラスタ ,  *スイッチング ,  分子動力学 ,  エネルギーギャップ ,  *非揮発性 ,  記憶装置 ,  導電性 ,  電流 ,  *揮発性 ,  酸化ハフニウム
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  オン状態 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブリッジ ,  RAM ,  揮発性 ,  非揮発性 ,  スイッチング