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J-GLOBAL ID：201802262642618685   整理番号：18A0421312

ZnO上に垂直に整列した数層MoS_2フレークのヘテロ構造における増強された光電気化学活性【Powered by NICT】

Enhanced photoelectrochemical activity in the heterostructure of vertically aligned few-layer MoS₂ flakes on ZnO

著者 (5件)： Trung Tran Nam (Department of Materials Science & Engineering, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Seo Dong-Bum (Department of Materials Science & Engineering, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Quang Nguyen Duc (Department of Materials Science & Engineering, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Kim Dojin (Department of Materials Science & Engineering, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Kim Eui-Tae (Department of Materials Science & Engineering, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 260  ページ： 150-156  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムスズ酸化物(ITO)と有機金属化学気相堆積を用いて,ITO/ZnO基板上に成長させた垂直整列MoS_2フレーク。MoS_2フレークの厚さは数層のレベル(5 10),エネルギー貯蔵とエネルギー変換応用のための望ましいで操作した。光電気化学(PEC)電池では,数層フレーク光電極は,活性部位の前者の高密度励起子状態からの遅いバンド内緩和速度と低い欠陥密度のためにMoS_2薄膜光電極(360μA/cm~0.2Vで2)よりもかなり高い光電流密度(930μA/cm~0.2Vで2)を生じた。さらに,ZnO/MoS_2フレークのヘテロ構造は,その増強された光生成キャリア分離と移動のため,0.2Vで1.6mA~2とPEC操作条件下で長期安定性の著しく高い光電流密度を示した。このように,そのようなヘテロ構造は,効率的な,非毒性,安価で,地球に豊富なPEC電極として有望である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フレーク ,  *光電気化学 ,  エネルギー貯蔵 ,  化学蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  活性部位 ,  薄膜 ,  欠陥密度 ,  電流密度 ,  酸化インジウムスズ ,  エネルギー変換 ,  励起子 ,  光電極
準シソーラス用語： 垂直配向 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  金属カルコゲン化物 ,  光電気触媒 ,  Photoanode

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  整列 ,  フレーク ,  ヘテロ構造 ,  増強 ,  電気化学活性