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J-GLOBAL ID：201802262722231628   整理番号：18A0813934

ひ化ガリウムヘテロエピタキシャル成長のためのコンプライアント基板としての絶縁体上の超薄シリコンに及ぼすシリコン厚さの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating the effect of silicon thickness on ultra-thin silicon on insulator as a compliant substrate for gallium arsenide heteroepitaxial growth

著者 (6件)： Noh Shinyoung (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Hao Xiaojing (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Liu Ziheng (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Green Martin A. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Lee Sammy (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Ho-Baillie Anita (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 653  ページ： 371-376  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準拠アント基板はヘテロエピタクシーのための多くの有望な格子工学アプローチの一つである。このような柔軟な基板を実現するための多くのアプローチがある。シリコン-オン-インシュレータ(SOI)ウエハは,それが産業から容易に利用できるので,良いオプションである。絶縁体上の10nmより厚いシリコンを用いたSOIに関する以前の研究は,限られたか否かを報告した。しかし,SOIウエハのコンプライアンスに及ぼす超薄シリコン厚さ(<10nm)の影響は,以前に研究されていなかった。本研究では,超薄Si層厚の関数としてSOI上のGaAsヘテロエピタキシャル膜の品質を調べた。結果は,金属-有機化学蒸着法により堆積したGaAs膜の品質がSi厚さの減少と共に改善することを示した。Siの厚さが<4nmのとき,得られたGaAs膜は単結晶である。Siの厚さが>4nmのとき,GaAs膜は多結晶である。これらの膜をX線回折測定,原子間力顕微鏡及び透過型電子顕微鏡により特性化した。これらの知見は,SOIウエハが超薄Si厚さにおける準拠アント基板としての可能性を示している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  単結晶 ,  キャラクタリゼーション ,  品質 ,  コンプライアンス ,  *ケイ素 ,  多結晶 ,  *ヒ化ガリウム ,  X線回折 ,  *エピタクシー ,  ヘテロエピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  *絶縁体 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コンプライアント基板 ,  heteroepitaxy ,  Si上のGaAs ,  絶縁体上のシリコン ,  極薄厚さ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ひ化ガリウム ,  テロ ,  エピタキシャル成長 ,  絶縁体 ,  シリコン ,  厚さ ,  研究