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J-GLOBAL ID：201802262775914112   整理番号：18A0859909

液体ヘリウム温度でのSiゲートオールアラウンド・ナノワイヤMOSFETにおける1/f雑音挙動に関する議論【JST・京大機械翻訳】

Discussion on the 1/f noise behavior in Si gate-all-around nanowire MOSFETs at liquid helium temperatures

著者 (5件)： Boudier D. (Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France) ,  Cretu B. (Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France) ,  Simoen E. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Veloso A. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非常に低い温度(4.2K)とドレイン電圧で,ゲート-オール-周辺ナノワイヤMOSFETを研究した。これらの条件が通常のドリフト拡散機構を超えて量子輸送を支配することを示した。雑音機構に及ぼす量子輸送の影響を調べるために,1/f雑音レベルを調べた。一般化-再結合雑音は,ゲート酸化物とシリコン膜中にトラップの存在を示した。本研究は低周波雑音分光分析により完成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *雑音 ,  低周波雑音 ,  再結合 ,  *MOSFET ,  分光分析 ,  *1/f雑音
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  量子輸送 ,  ドリフト拡散 ,  ドレイン電圧 ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 液体ヘリウム温度 ,  Si ,  ゲートオールアラウンド ,  ナノワイヤ ,  MOSFET ,  雑音 ,  挙動 ,  議論