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J-GLOBAL ID：201802262792771299   整理番号：18A1698827

規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性

著者 (4件)： 大倉一将 (埼玉大 大学院) ,  高宮健吾 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-PA4-25  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  表面ステップ ,  *窒化インジウム ,  *量子ドット ,  *微斜面 ,  MBE成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸化マグネシウム ,  基板 ,  表面テラス ,  条件
準シソーラス用語： *RF-MBE ,  成長条件

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 規則配列 ,  InN ,  ドット ,  作製 ,  立方晶 ,  GaN ,  表面ステップ ,  成長条件 ,  依存性