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J-GLOBAL ID：201802263356770784   整理番号：18A0446707

高移動度nチャネルMOSFET(招待論文)のためのInGaAs MOSゲートスタックにおける酸化物欠陥の特性化【Powered by NICT】

Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)

著者 (14件)： Franco J. (imec, Leuven - Belgium) ,  Putcha V. (also at KU Leuven - Belgium) ,  Vais A. (imec, Leuven - Belgium) ,  Sioncke S. (imec, Leuven - Belgium) ,  Waldron N. (imec, Leuven - Belgium) ,  Zhou D. (imec, Leuven - Belgium) ,  Rzepa G. (TU Wien - Austria) ,  Roussel Ph. J. (imec, Leuven - Belgium) ,  Groeseneken G. (also at KU Leuven - Belgium) ,  Heyns M. (also at KU Leuven - Belgium) ,  Collaert N. (imec, Leuven - Belgium) ,  Linten D. (imec, Leuven - Belgium) ,  Grasser T. (TU Wien - Austria) ,  Kaczer B. (imec, Leuven - Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 7.5.1-7.5.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい高移動度nチャネルMOSFETのためのInGaAs MOSゲートスタック中の酸化物トラップの著者らの最近の研究をレビューした。多様なデバイス試験試料(コンデンサ,プレーナMOSFET,finFET,ナノワイヤ)のすべてのバイアス温度不安定性,欠陥捕獲放出時間マップ(InGaAsデバイスに適用),ランダム電信雑音,ヒステリシストレース,多周波数C-V分散,のような種々のトラップ特性評価法を議論し,相関した。最後に,十分に信頼できるIIIVゲートスタックを開発するためのガイドラインを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  周波数 ,  ナノワイヤ ,  *キャラクタリゼーション ,  捕獲 ,  コンデンサ ,  *酸化物
準シソーラス用語： 電信雑音 ,  バイアス温度不安定性 ,  *ゲートスタック ,  *nMOSFET ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高移動度 ,  nチャネルMOSFET ,  論文 ,  InGaAs ,  MOS ,  ゲートスタック ,  酸化物 ,  欠陥 ,  特性化