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J-GLOBAL ID：201802263559122331   整理番号：18A0159576

ゲートバイアスと光照射ストレスの下での金属-酸化物薄膜トランジスタのための物理モデル【Powered by NICT】

A Physical Model for Metal-Oxide Thin-Film Transistor Under Gate-Bias and Illumination Stress

著者 (5件)： Li Jiapeng (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Lu Lei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Chen Rongsheng (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Kwok Hoi-Sing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Wong Man (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 142-149  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負ゲートバイアスと光照射ストレス下での金属-酸化物薄膜トランジスタのターンオン電圧の負のシフトが頻繁に報告されている。電荷捕獲機構に大きく予測,引き伸ばされた指数関数方程式がシフトの時間依存性に適合させるために一般的に使用されている。いくつか具体化されない物理的起源を,フィッティングパラメータを曲線あてはめにより抽出した。現在定式化された光生成,輸送及び正孔の捕獲を組み込んだより物理的に基づくモデル。発生エネルギー障壁,正孔移動度および捕獲時間定数のモデルパラメータを,測定したゲートバイアス依存ターンオン電圧シフトから抽出した。を理論的に導出し,分解速度は発生あるいは輸送制限であることを実験的に検証した。モデルをさらに正のバイアスおよび照明ストレス下で減衰シフトを説明するために適用できる,ゲートバイアスから発生した電場のスクリーニングも説明した。ストレス中に適用された非対称ソース/ドレインバイアスの効果から,捕獲がチャネル界面の長さに沿って局在することを推定した。そのような応力後のトランジスタのターンオン電圧は最小シフトを示すチャネルの一部によって制約されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 捕獲 ,  界面 ,  *モデル ,  電場 ,  *薄膜トランジスタ ,  曲線あてはめ ,  時間依存性 ,  非対称性 ,  *光照射 ,  *酸化物 ,  正孔 ,  チャネル ,  *バイアス
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  *ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートバイアス ,  光照射 ,  ストレス ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  物理モデル