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J-GLOBAL ID：201802263617721163   整理番号：18A1008203

微結晶GaP/Si超格子作製のための低温プラズマ増強蒸着法【JST・京大機械翻訳】

Low temperature plasma enhanced deposition approach for fabrication of microcrystalline GaP/Si superlattice

著者 (8件)： Gudovskikh Alexander S. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Uvarov Alexander V. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Morozov Ivan A. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Baranov Artem I. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Kudryashov Dmitriy A. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Zelentsov Kirill S. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Bukatin Anton S. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia) ,  Kotlyar Konstantin P. (Nanotechnology Centre, Saint-Petersburg Academic University, Hlopina Str. 8/3, 194021 St.-Petersburg, Russia)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 2  ページ： 02D408-02D408-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微結晶GaP/Si超格子を成長させるプラズマ技術アプローチを調べた。GaPの層は時間変調プラズマ増強蒸着(原子層蒸着法)を用いて成長させたが,Si層は高水素希釈による通常のプラズマ増強化学蒸着モードを用いて成長させた。(3nm)GaP/(2nm)Si超格子をSiおよびGaP基板上に非晶質GaP/Si多層構造の成長とそれに続く450~900°Cでの熱アニーリングまたは400°Cを超えない温度での微結晶GaP/Si超格子の成長により形成した。Ramanスペクトルにおける500cm-1のピークの出現により,薄い2nmのSi層の量子閉じ込め効果を実証した。微結晶GaP/Si構造の非晶質と成長のアニーリング中のSi結晶化とボイド形成における水素挙動の重要な役割を実証した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *ケイ素 ,  水素 ,  多層構造 ,  非晶質 ,  Ramanスペクトル ,  *超格子 ,  量子閉込め ,  *蒸着 ,  プラズマCVD ,  *微結晶 ,  希釈 ,  *リン化ガリウム ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 微結晶 ,  GAP ,  Si ,  超格子 ,  作製 ,  低温プラズマ ,  増強 ,  蒸着