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J-GLOBAL ID：201802263704617745   整理番号：18A0844949

n-Si上の酸素を取り込んだLa/超薄TiSi_xの金属二重層接触スタックによる改良されたOhm性能【JST・京大機械翻訳】

Improved Ohmic Performance by the Metallic Bilayer Contact Stack of Oxygen-Incorporated La/Ultrathin TiSi_x on n-Si

著者 (9件)： Wang Lin-Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Yu Hao (Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (imec, Leuven, Belgium) ,  Everaert Jean-Luc (imec, Leuven, Belgium) ,  Mocuta Dan (imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (imec, Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Jiang Yu-Long (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 5  ページ： 1869-1872  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,適度にドープしたn+-Si上のLa/超薄TiSi_x金属二層接触(MBC)を提案し,同時に接触抵抗率(ρ_c)を低減し,同時に接触熱耐久性を改善した。このようなMBCにおいて,上部Laは仕事関数(WF)を定義するが,超薄(~1nm)TiSi_x(WF透明)中間層はSi拡散障壁として作用し,全接触の熱耐久性を改善する。さらに,MBCへの酸素(O)の取り込みは,接触性能をさらに改善した。1×10~19cm-3のドナー濃度をもつn+-Si上で,O-組込みMBCは,Ti/n+-SiおよびLa/n+-Si参照と比較して,ρ_cにおいてそれぞれ18.3×および2.2×還元を達成することができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドナー ,  仕事関数 ,  *ケイ素 ,  *酸素 ,  *ランタン ,  ドーピング ,  拡散障壁 ,  耐熱性
準シソーラス用語： 中間層 ,  比接触抵抗 ,  二層 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  酸素 ,  La ,  二重層 ,  スタック