文献

J-GLOBAL ID：201802263810003313   整理番号：18A2234685

MBE成長InAs/GaAs量子ドット太陽電池のための‘浅’および‘深’接合構造の比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of `shallow’ and `deep’ junction architectures for MBE-grown InAs/GaAs quantum dot solar cells

著者 (7件)： Tukiainen Antti (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland) ,  Lyytikainen Jari (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland) ,  Aho Timo (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland) ,  Halonen Eero (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland) ,  Raappana Marianna (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland) ,  Cappelluti Federica (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, Torino, 10129, Italy) ,  Guina Mircea (Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 2950-2952  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い開回路電圧をもつInAs/GaAs量子ドット太陽電池の作製について報告した。‘シャローと‘深の接合アーキテクチャを比較した。0.94Vの最高開回路電圧を,浅い接合配置に対して得た。InAs量子ドット太陽電池の開回路電圧は,高品質量子ドットを示す両方の接合アーキテクチャに対して,GaAs参照セルと比較して~40mVだけ減少した。InAs/GaAs量子ドット太陽電池の開回路電圧も量子ドットのサイズに依存することが分かった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  計算機アーキテクチャ ,  *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  *接合 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 高品質 ,  開回路電圧 ,  接合構造 ,  *量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE成長 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット太陽電池 ,  接合構造