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J-GLOBAL ID：201802263848728792   整理番号：18A1211105

長期間短絡ストレス下のSiCパワーMOSFETの劣化機構と最適化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on degradation mechanism and optimization for SiC power MOSFETs under long-term short-circuit stress

著者 (6件)： Wei Jiaxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Fang Jiong (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Li Sheng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Li Ting (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 399-402  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,長期間短絡(SC)ストレス下での炭化ケイ素(SiC)パワー金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の劣化機構を調べた。Silvaco TCADシミュレーションと劣化したパラメータの測定の助けを借りて,デバイスのチャネル領域上のゲート酸化物への電子の注入が支配的な劣化機構であることを実証した。それは,低いゲート電圧バイアス条件の下で,閾値電圧(V_th)の正のシフトとオン状態抵抗(R_dson)の増加をもたらす。チャネル領域上のゲート酸化物にトラップされた電子を持つデバイスのシミュレーション電気特性は,測定されたものと同様の劣化傾向を共有し,著者らの解析の正当性を証明した。さらに,SCプロセス中のチャネル領域上のSiC/SiO_2界面に沿った衝撃イオン化速度(I.I.)を効果的に下げることができる,追加の浅い反転ドーピングp井戸を持つ改良素子構造を提案し,長期SCストレス下での劣化を制限した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  素子構造 ,  ドーピング ,  界面 ,  *MOSFET ,  衝突イオン化 ,  *炭化ケイ素 ,  半導体 ,  シミュレーション ,  バイアス
準シソーラス用語： オン状態 ,  閾値電圧 ,  チャネル層 ,  TCAD ,  *劣化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短絡 ,  ストレス ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  最適化 ,  研究