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J-GLOBAL ID：201802263880206357   整理番号：18A1520300

構造不均一性の低減によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発性メモリ動作の安定化

Stabilization of nonvolatile memory operations using GaN/AlN resonant tunneling diodes by reducing structural inhomogeneity

著者 (3件)： NAGASE Masanori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Tokio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 7  ページ： 070310.1-070310.4  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピコ秒時間スケールで動作する高速不揮発性ランダムアクセスメモリ(RAM)の実現に向けて,GaN/AlN共鳴トンネルダイオード(RTD)におけるサブバンド間遷移と電子蓄積に基づく新しい不揮発性メモリを調べた。書き込み/消去メモリ動作の耐久性はGaN/AlN RTDの構造的不均一性を低減することにより向上できることを示した。小さな不均一性を持つGaN/AlN RTDを用いた繰り返し書き込み/消去メモリ動作後に,機械的損傷も顕著な電流-電圧特性の劣化も観測されなかった。計算システムのための高耐久性不揮発RAMは,GaN/AlN RTDの結晶品質の更なる改善により実現されると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *共鳴トンネルダイオード ,  *不揮発性メモリ ,  *RAM【メモリ】 ,  *耐久性 ,  *不均一性 ,  故障 ,  電流電圧特性 ,  品質
準シソーラス用語： 機械的損傷 ,  結晶品質

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (22件)：

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• K. Ando, S. Fujita, M. Hayashikoshi, and Y. Fujimori, in Normally-Off Computing, ed. T. Nakata and H. Nakamura (Springer, Tokyo, 2017) 1st ed., Chap. 3.
• N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N. Y. Park, G. B. Stephenson, I. Stolitchnov, A. K. Taganstev, D. V. Taylor, T. Yamada, and S. Streiffer, J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006).
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• D. Saida, S. Kashiwada, M. Yakabe, T. Daibou, N. Hase, M. Fukumoto, S. Miwa, Y. Suzuki, H. Noguchi, S. Fujita, and J. Ito, Symp. VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2016, p. 146.

タイトルに関連する用語 (6件)： 不均一性 ,  GaN ,  AlN ,  共鳴トンネルダイオード ,  不揮発性メモリ ,  安定化