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J-GLOBAL ID：201802263884908565   整理番号：18A0935171

適度にSiをドープした整合サブ層を持つTi/Au/n-GaAsプレーナSchottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】

Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer

著者 (12件)： Shurakov Alexander (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Mikhalev Pavel (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Mikhailov Denis (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Mityashkin Vladislav (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Tretyakov Ivan (Institute for Physics of Microstructures RAS, 7 Academicheskaya St., Nizhny Novgorod 603087, Russia) ,  Kardakova Anna (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Belikov Ivan (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Kaurova Natalia (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Voronov Boris (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Vasil’evskii Ivan (National Research Nuclear University MEPhI, 31 Kashirskoe Ave., Moscow 115409, Russia) ,  Gol’tsman Gregory (Moscow State University of Education (MSPU), 29/7b1 Malaya pirogovskaya St., Moscow 119435, Russia) ,  Gol’tsman Gregory (National Research University Higher School of Economics, 20 Myasnitskaya St., Moscow 101000, Russia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 195  ページ： 26-31  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,テラヘルツ放射の広帯域検出を目的としたTi/Au/n-GaAs平面Schottkyダイオード(PSD)の研究結果について報告する。二つのタイプのPSDデバイスを,二重n/n_+シリコンドーパントプロファイルまたは適度にドープされた整合サブ層を挿入した三重のものと比較した。全てのダイオードは理想因子及び障壁高さの顕著な温度依存性を示さず,その値はそれぞれ1.15~1.50及び0.75~0.85eVの範囲をカバーした。整合サブ層をGaAsサンドイッチに導入した後,約80meVの平坦バンド障壁高さの低下を観測した。両デバイスタイプに対して,20Ωの低い直列抵抗値を得た。全寄生容量を抽出するために,有限要素法によりPSDの挙動の電磁モデリング内でYパラメータ解析を行った。12~12.2fFの静電容量値を得て,400~480GHzの周波数範囲でダイオードの応答電圧を測定することによってさらに確かめた。また,実験的に研究されたものと類似した層状構造内のAC電流密度分布を計算した。適度にSiをドープした整合サブ層の挿入が,「超THz」周波数範囲内での動作を意図したPSDの実現に有益であることを実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  広帯域 ,  漂遊容量 ,  *ヒ化ガリウム ,  温度依存性 ,  有限要素法 ,  周波数 ,  *ダイオード ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  障壁高さ ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： プレーナSchottkyダイオード ,  サブレイヤのマッチング ,  テラヘルツ周波数 ,  入力帯域幅 ,  渦電流

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  ドープ ,  整合 ,  サブ ,  Ti ,  Au ,  GaAs ,  プレーナ ,  Schottkyダイオード