InGaN/GaN構造  陰極ルミネセンス特性に及ぼす量子井戸数の影響【JST・京大機械翻訳】

Hospodkova Alice; Hubacek Tomas; Oswald Jiri; Pangrac Jiri; Kuldova Karla; Hyvl Matej; Dominec Filip; Ledoux Gilles; Dujardin Christophe

文献

J-GLOBAL ID：201802264234917186 整理番号：18A0990749

InGaN/GaN構造陰極ルミネセンス特性に及ぼす量子井戸数の影響【JST・京大機械翻訳】

InGaN/GaN Structures: Effect of the Quantum Well Number on the Cathodoluminescent Properties

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A0990749&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A0990749&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0599A") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 255 号： 5 ページ： e1700464 発行年： 2018年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,InGaN/GaN多重量子井戸(QW)構造で得られたルミネセンス結果を10および30QWと比較した。この目的は,より速い青色QW発光の強度を増加させ,QW欠陥バンドのルミネセンスを減少させることであり,高速シンチレータ応用に望ましくないより遅いルミネセンス減衰時間を示した。InGaN QWの数の増加がこの目標に到達する効率的な方法であることを実証した。QW数の増加により,より高い数のQWを有する試料のルミネセンス改善は,QW数の増加に伴うV-ピットのサイズの増加の影響によって説明される。V-ピットの側壁上のより薄いQWは,V-ピット中心を貫通する転位からキャリアを分離する障壁として働き,従って,欠陥上の非放射および放射再結合を抑制する。陰極線ルミネセンス(CL)結果に基づいて,シンチレータ構造設計を検討した。より高い数のQWを有するシンチレータ構造は,改善されたルミネセンス効率とより厚い活性領域の両方を利用することができる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： , , , ,

半導体のルミネセンス

, , ,

前のページに戻る

InGaN/GaN構造 陰極ルミネセンス特性に及ぼす量子井戸数の影響【JST・京大機械翻訳】

InGaN/GaN構造陰極ルミネセンス特性に及ぼす量子井戸数の影響【JST・京大機械翻訳】