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J-GLOBAL ID：201802264242097191   整理番号：18A0401398

n-GaN Schottkyダイオード中の深準位過渡分光法測定における少数キャリアトラップの寄与の証拠【Powered by NICT】

Evidence of minority carrier traps contribution in deep level transient spectroscopy measurement in n-GaN Schottky diode

著者 (7件)： Amor S. (Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FST, LERSI, B.P. 2202, Fes, Morocco) ,  Amor S. (Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA 4423, 2 rue E. Belin, 57070, Metz, France) ,  Ahaitouf A. (Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FST, LERSI, B.P. 2202, Fes, Morocco) ,  Ahaitouf Az (Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FP Taza, LSI, B.P. 1223, Taza, Morocco) ,  Salvestrini J.P. (Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA 4423, 2 rue E. Belin, 57070, Metz, France) ,  Salvestrini J.P. (Georgia Tech Lorraine and CNRS UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Ougazzaden A. (Georgia Tech Lorraine and CNRS UMI2958, 57070, Metz, France)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 101  ページ： 529-536  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深準位過渡分光法は,majorityキャリアトラップに加えて,調査少数キャリアトラップへのSchottkyダイオードに行うことができることを示した。これはそれらの対応する有効Schottky障壁高さを低下させることにより少数キャリア注入を可能にするデバイスに大きな逆バイアスの適用のおかげで可能である。,逆バイアス電圧が増加すると,深準位過渡分光信号,最初に負,多数キャリアトラップシグネチャだけを示し,は正となり,少数キャリアトラップ関与を明らかにした。記録されたスペクトルの注意深い解析はこれまで少数キャリア過渡分光法のような専用法を用いて証明されたのみした四少数キャリアトラップの同定をもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  *深準位過渡分光法 ,  *窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *キャリア捕獲 ,  ダイオード ,  キャリア注入 ,  *少数キャリア
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  逆バイアス ,  Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DLTS ,  キャリアトラップ ,  GaN ,  Schottkyダイオード

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Schottkyダイオード ,  深準位過渡分光法 ,  少数キャリア ,  トラップ ,  証拠