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J-GLOBAL ID：201802264410535559   整理番号：18A1615209

バリアレスCuメタライゼーションにおけるCu(Ti)とCu(Zr)合金の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of Cu(Ti) and Cu(Zr) alloys in barrier-less Cu metallization

著者 (4件)： Cao Fei (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China) ,  Wang Ying (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China) ,  Li Fu-yin (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China) ,  Tang Bin-han (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 217  ページ： 412-420  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(Ti)/SiO_2及びCu(Zr)/SiO_2系の熱特性を調べ,Cuメタライゼーションの潜在的応用を評価した。Cu(Ti)とCu(Zr)合金膜をSiO_2/Si基板上に直接蒸着し,続いて300°C~700°Cの種々の温度で1時間真空中でアニールした。両試料の微細構造,界面特性および電気的性質をX線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS),透過型電子顕微鏡(TEM)および漏れ電流検出器を用いて測定した。結果は,少量のZrまたはTiの添加後に,Cu合金膜が強いCu(111)集合組織を有することを示唆した。界面でのCuとSi濃度の急激な低下は,TiとZrの両方の添加がCuと基板の間の相互拡散を防ぐことができることを示唆している。Cu(Zr)とCu(Ti)の漏れ電流密度は,Zrが高度なCu相互接続のための自己形成拡散層に対してより安定な元素であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ジルコニウム ,  薄膜 ,  銅合金 ,  X線回折 ,  *銅 ,  *チタン ,  蒸着 ,  拡散層 ,  相互拡散 ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ケイ素 ,  界面 ,  微細構造 ,  集合組織

著者キーワード (5件)： 界面 ,  薄膜 ,  合金 ,  スパッタリング ,  拡散

分類 (2件)： 非鉄金属材料  (WE03000D) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  メタライゼーション ,  Ti ,  Zr ,  合金 ,  評価