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J-GLOBAL ID：201802264454610902   整理番号：18A1608887

イオンビームスパッタ蒸着により成長させたエピタキシャルSrTiO_3薄膜の厚み依存歪発展【JST・京大機械翻訳】

Thickness-Dependent Strain Evolution of Epitaxial SrTiO₃ Thin Films Grown by Ion Beam Sputter Deposition

著者 (2件)： Panomsuwan Gasidit (Department of Materials Engineering, Faculty of Engineering, Kasetsart University, 50 Phaholyothin Road, Chatuchak, Bangkok, 10900, Thailand) ,  Saito Nagahiro (Department of Chemical System Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 53  号： 8  ページ： e1700211  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルSrTiO_3(STO)薄膜を,イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)により,種々の厚さ(3~108nm)を有する,微斜面(001)配向LaAlO_3(LAO)基板上に成長させた。STO膜の厚さ依存歪をX線解析により包括的に調べた。STO膜は,面内方向(a軸とb軸)に沿った圧縮歪下でLAO基板上に成長し,成長方向(c軸)に沿って引張歪を示した。膜厚の増加により,STO単位胞は,より多くの正方晶構造からより少ない正方晶構造に発展し,歪緩和の発生を示した。二軸および静水圧成分の観点から,すべてのSTO膜について定量的歪解析を行った。STO膜における歪の主な原因は,静水圧成分上の二軸成分に起因することが分かった。STO膜の表面形態は,LAO基板(約0.1nm)に近い粗さをもつステップアンドテラス構造を示し,2D成長モードを示した。しかし,膜厚が増加すると,表面テラスはより粗くなり,それは歪緩和の効果によって引き起こされる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 膜厚 ,  *スパッタ蒸着 ,  *エピタクシー ,  微斜面 ,  *薄膜 ,  正方晶系 ,  二軸 ,  静水圧 ,  *薄膜成長 ,  *イオンビーム ,  表面粗さ ,  表面形態 ,  単位格子 ,  引張歪 ,  圧縮歪
準シソーラス用語： 歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシー ,  イオンビームスパッタ蒸着 ,  歪 ,  チタン酸ストロンチウム ,  X線分析

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオンビーム ,  スパッタ蒸着 ,  成長 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  厚み ,  歪 ,  発展