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J-GLOBAL ID：201802264456158729   整理番号：18A0265848

異なるMgドープp-GaNに適した異なるアニーリング温度【Powered by NICT】

Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN

著者 (14件)： Liu S.T. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Yang J. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhao D.G. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhao D.G. (School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Jiang D.S. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liang F. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Chen P. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhu J.J. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Z.S. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Li X. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu W. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang L.Q. (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Long H. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, People’s Republic of China) ,  Li M. (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, People’s Republic of China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 104  ページ： 63-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,異なる温度でアニールした種々のMgドーピング濃度をもつエピタキシャルGaNを研究した。HallおよびPLスペクトル測定により,Mgドーピング濃度が異なると,異なるアニーリング温度はGaNのp型伝導を得るために必要であり,この差は補償ドナーに及ぼす焼なましの異なる影響に由来することを見出した。高濃度Mgドープ試料では,無放射再結合中心に移動Mg関連ドナーのプロセスが支配的であり,P-GaNの性能は温度上昇とともに低下する。しかし低Mgドープ試料では,非raditive再結合へのMg関連ドナー移動のプロセスはMgアクセプタの活性化と比較して弱く,に沿って,アニーリング温度はGaNが優れた性能を増加した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  昇温 ,  エピタクシー ,  アクセプタ ,  ドナー ,  再結合 ,  焼なまし ,  *マグネシウム ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 放射再結合 ,  高濃度 ,  光ルミネセンススペクトル ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： P-GaN ,  PL ,  H all測定

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  ドープ ,  GaN ,  アニーリング温度