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J-GLOBAL ID：201802264475457058   整理番号：18A0822729

改良された電荷移動速度のための大型ピン止めフォトダイオードにおけるドリフト場の実現【JST・京大機械翻訳】

Drift Field Implementation in Large Pinned Photodiodes for Improved Charge Transfer Speed

著者 (2件)： Hondongwa Donald B. (Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, NH, USA) ,  Fossum Eric R. (Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, NH, USA)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6  ページ： 413-419  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きなフォトダイオードに内蔵ドリフト場を発生させる方法を示した。TCADの助けを借りて,単一の付加マスクを用いて標準CMOSプロセスにおいて不均一ドーピングプロファイルを実現でき,インプラント条件とマスク形状を用いて制御できることを実証した。得られたドーピングプロフィルが内蔵ドリフト場を作り,電荷移動速度に及ぼすドリフト場の効果をシミュレートすることを実証した。ドリフト場を実装することにより,フォトダイオードの電荷移動特性を改善できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *電荷移動 ,  *ピン止め ,  *ドリフト
準シソーラス用語： ドーピングプロファイル ,  CMOSプロセス ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷 ,  移動速度 ,  大型 ,  ピン止め ,  フォトダイオード ,  ドリフト