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J-GLOBAL ID：201802264521069586   整理番号：18A1211014

ゲート接続超接合MOSFETによるドレイン電流容量とオン抵抗限界のブレークスルー【JST・京大機械翻訳】

Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET

著者 (1件)： Saito Wataru (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Kawasaki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 36-39  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,高ドレイン電流密度と低オン抵抗の両方に対処するために,ゲート接続超接合(GS)MOSFETの新しい構造を報告した。従来の超接合(SJ)構造は,電荷補償概念により特定のオン抵抗を劇的に低減するのに魅力的である。しかし,ドレイン飽和電流密度は,オン抵抗が横方向SJピッチ狭まりによって減少できるとしても,SJ構造の底部領域でのJFET枯渇によって制限される。蓄積モード動作は,低オン抵抗だけでなく,蓄積キャリアによるSJ底での枯渇を抑制するためにも有効である。本論文では,シミュレーション結果に基づいて,高ドレイン電流密度と低オン抵抗に対するGS-MOSFETの可能性を報告した。動的特性も従来のSJ-MOSFETと比較した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不純物補償 ,  接合形FET ,  *MOSFET ,  シミュレーション ,  *オン抵抗
準シソーラス用語： 蓄積モード ,  *ドレイン電流 ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  超接合 ,  MOSFET ,  ドレイン ,  電流容量 ,  オン抵抗 ,  限界 ,  ブレークスルー