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J-GLOBAL ID：201802264584764699   整理番号：18A1767402

容易な金属支援化学エッチングにより作製した傾斜シリコンナノワイヤのルミネセンス特性に及ぼす不均一メソ多孔性と欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of inhomogeneous mesoporosity and defects on the luminescent properties of slanted silicon nanowires prepared by facile metal-assisted chemical etching

著者 (4件)： Adhila T. K. (Nanomaterials Research Laboratory, Surface Engineering Division, CSIR-National Aerospace Laboratories, Post Bag No. 1779, Bangalore 560017, India) ,  Hemam Rachna D. (Materials Research Center, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Nanda K. K. (Materials Research Center, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Barshilia Harish C. (Nanomaterials Research Laboratory, Surface Engineering Division, CSIR-National Aerospace Laboratories, Post Bag No. 1779, Bangalore 560017, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 10  ページ： 104303-104303-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 傾斜シリコンナノワイヤは垂直シリコンナノワイヤよりも改善された光吸収と良好な電気接触を示した。〈100〉方向に沿って配向した高アスペクト比メソ多孔性傾斜シリコンナノワイヤを容易な二段階金属支援化学エッチングプロセスにより作製した。透過型電子顕微鏡,角度依存Raman分光法およびBrunauer-Emmett-Teller測定の解析により,2~10nmの細孔径を有する不均一多孔性を同定した。傾斜シリコンナノワイヤはコア/シェル構造を有し,多孔度は傾斜シリコンナノワイヤの上部から底部まで変化した。中性酸素欠陥,自己捕獲励起子及び表面欠陥の存在を光ルミネセンス分光法により同定し,結果をFourier変換赤外分光法及びX線光電子分光データと相関させた。メソ多孔性に加えて,自己トラップ励起子,酸素空格子点,およびSi/SiO_x界面上の表面欠陥のような欠陥が傾斜シリコンナノワイヤのルミネセンスに寄与する。エッチング時間の増加に伴う光ルミネセンスの赤方偏移を量子閉込め発光中心モデルを用いて説明した。傾斜シリコンナノワイヤにおける欠陥と多孔度の役割を理解することは,シリコンナノワイヤベースの光電子デバイスの効率を高めるために非常に望ましい。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  赤方偏移 ,  電子顕微鏡観察 ,  光吸収 ,  光ルミネセンス ,  *多孔性 ,  表面欠陥 ,  空隙率 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  FTIR分光法 ,  量子閉込め ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  *メソポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属支援化学エッチング ,  作製 ,  シリコンナノワイヤ ,  ルミネセンス ,  不均一 ,  メソ多孔性 ,  欠陥