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J-GLOBAL ID：201802264646586513   整理番号：18A1044929

200mm薄膜SOI CMPのためのマルチゾーンポーランドヘッドの適用による高精度プロファイル制御の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving highly accurate profile control by applying a multi-zone polish head for 200mm thin-film SOI CMP

著者 (3件)： Liu Mike (Applied Global Services, Applied Materials, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Leighton Jamie (Applied Global Services, Applied Materials, Santa Clara, California, USA) ,  Rosa Mike (Applied Global Services, Applied Materials, Santa Clara, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体(SOI)ウエハ上のシリコンの上部Si層の全厚さ変化(TTV)の仕様は,将来の応用[1][2]に対して厳しくなっている。したがって,現在の化学機械研磨(CMP)プロセスは,特にウエハ端部において平坦性要求を満たすことができず,それは最大5%の収率損失を引き起こすことができた。本論文では,新しい薄膜SOI研磨プロセスを開発するために,マルチゾーン研磨ヘッドで構成された応用材料Mirra~(R)CMPを紹介した。CMPステップによって実証された結果として得られたTTV改善は,最良の可能なプロファイル制御を達成するための競合的で効果的な方法を生成する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平坦性 ,  ケイ素 ,  化学機械研磨 ,  *薄膜 ,  研磨 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 研磨ヘッド ,  シリコン層 ,  高精度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  SOI ,  CMP ,  プロファイル