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J-GLOBAL ID：201802264727285293   整理番号：18A0968221

前界面同位体-フォノン散乱により増強された固体-固体界面を横切る熱輸送【JST・京大機械翻訳】

Thermal transport across solid-solid interfaces enhanced by pre-interface isotope-phonon scattering

著者 (2件)： Lee Eungkyu (Department of Aerospace and Mechanical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Luo Tengfei (Department of Aerospace and Mechanical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 1  ページ： 011603-011603-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体界面を横切る熱輸送はエレクトロニクスの熱管理において重要な役割を果たすことができる。本レターでは,非平衡分子動力学シミュレーションを用いて,SiC/GaN界面を横切る熱輸送に及ぼす同位体効果を調べた。GaN層における工学的同位体(例えば,10%~15Nまたは~71Ga)は,同位体的に純粋な場合と比較して,界面熱伝導率を23%まで増加させることができることが分かった。同位体濃度,同位体領域の皮膚深さ,及び界面からの距離などの異なる同位体ドーピングの特徴を調べ,それらの全てが熱伝導率の増加をもたらす。フォノンモードのスペクトル温度の研究は,低周波フォノン(<20THz)による界面熱輸送が同位体が導入された後に増強されることを示した。これらの結果は,増強された熱伝導率が同位体-フォノン散乱に関連することを示唆し,それは,より良い全体的な界面熱輸送を支持するために,異なるモードの間のフォノンエネルギーの再分布を容易にする。本研究は,界面熱輸送と実用的材料設計への有用な指針に洞察を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 材料設計 ,  スペクトル ,  同位体効果 ,  熱伝導率 ,  電子技術 ,  *同位体 ,  窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  ドーピング ,  *フォノン ,  シミュレーション ,  *界面
準シソーラス用語： フォノンモード ,  *熱輸送 ,  *フォノン散乱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 非金属のその他の熱的性質  (BL05040J) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 界面 ,  同位体 ,  フォノン散乱 ,  増強 ,  固体 ,  固体界面 ,  熱輸送