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J-GLOBAL ID：201802265006737944   整理番号：18A1895130

高性能でスケーラブルな異種システム統合のためのダイファーストFOWLPを用いた柔軟なハイブリッドエレクトロニクス技術【JST・京大機械翻訳】

Flexible Hybrid Electronics Technology Using Die-First FOWLP for High-Performance and Scalable Heterogeneous System Integration

著者 (6件)： Fukushima Takafumi (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Alam Arsalan (Electrical Engineering Department, University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Hanna Amir (Electrical Engineering Department, University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Jangam Siva Chandra (Electrical Engineering Department, University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Bajwa Adeel Ahmad (Electrical Engineering Department, University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Iyer Subramanian S. (Electrical Engineering Department, University of California, Los Angeles, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 8  号： 10  ページ： 1738-1746  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいファンアウトウエハレベルパッケージング(FOWLP)方法論に基づく拡張可能なフレキシブルハイブリッドエレクトロニクスのための技術的プラットフォームを確立した。柔軟な基板に小さいディeleを埋め込み,FlexTrateと呼ぶ。これらのディeleはウエハレベル処理で形成された高密度ウィリングを通して相互接続できる。生体適合性ポリジメチルシロキサン(PDMS)において,625(25)1-mm2Siディdiの均一集積と種々の厚さを持つGaAsとSi誘電体の不均一集積を実証した。本論文では,PDMS上に形成された応力バッファ層上に8μmピッチのダイス間接続を成功裏に実装した。さらに,PDMSと埋め込まれたディeleの間の共平面性,典型的なダイ-第一FOWLPに関係するダイシフト,および結果としてのFlexTrateの曲げ性を特性化した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリジメチルシロキサン ,  ケイ素 ,  *システムインテグレーション ,  ヒ化ガリウム ,  *電子技術 ,  相互接続 ,  キャラクタリゼーション ,  誘電体 ,  平坦性 ,  基板 ,  バッファ層 ,  曲げ特性 ,  高密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  システム統合 ,  エレクトロニクス技術