文献

J-GLOBAL ID：201802265123692842   整理番号：18A0326450

陽極への台形井戸と徐々に薄くした障壁層を用いたInGaN/GaN MQW LEDの性能改善【Powered by NICT】

Improved performance of InGaN/GaN MQW LEDs with trapezoidal wells and gradually thinned barrier layers towards anode

著者 (3件)： Karan Himanshu (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700009, India) ,  Biswas Abhijit (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700009, India) ,  Saha Mainak (Institute of Engineering and Management, Maulana Abul Kalam Azad University of Technology, Sector-V, Salt Lake Electronic Complex, Kolkata-700091, India)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 400  ページ： 89-95  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率低下と出力に関して三InGaN/GaN多重量子井戸青色LED-固定障壁幅を持つA.矩形量子井戸,固定障壁幅を持つB.台形量子井戸,およびアノード端に向かって減少した障壁幅をもつC.台形量子井戸の性能を設計し,評価した。は十分に較正したAPSYSシミュレーションを用いたバンド図,電場,発光スペクトルとキャリア濃度を得た。台形量子井戸の電子と正孔の波動関数,放射再結合事象を増加間の良好な重なりを増加した。さらに障壁幅を減少させるp領域NTOから井戸における良好な正孔輸送と分布をもたらす正孔輸送経路を短縮し,それゆえに,大きな放射再結合速度。提案した構造は2.1%の効率低下低減と注入電流120mAで従来の長方形量子井戸構造と比較して236.7%の光パワーの増強を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  キャリア密度 ,  多重量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  量子井戸 ,  電場 ,  発光スペクトル ,  シミュレーション ,  波動関数 ,  正孔
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  放射再結合 ,  *InGaN ,  性能劣化 ,  *バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： APSYSシミュレーション ,  効率低下 ,  InGaN/GaN多重量子井戸 ,  発光ダイオード

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 陽極 ,  台形 ,  井戸 ,  障壁層 ,  InGaN ,  GaN ,  MQW ,  LED ,  性能改善