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J-GLOBAL ID：201802265201320961   整理番号：18A0798580

熱処理の影響下におけるシリコンの電気物理的性質の変化の特徴【JST・京大機械翻訳】

Features of changes in electrophysical properties of silicon under the influence of thermal treatment

著者 (2件)： Gaidar G.P. (Institute for Nuclear Research of the NAS of Ukraine, 47, Prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine) ,  Baranskii P.I. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine, 45, Prospect Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 538  ページ： 104-108  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski法により成長させ,リン不純物をドープしたn-シリコン結晶のアニーリング温度と冷却速度が,それらの電気的性質と熱電特性に及ぼす影響を研究した。主に不純物散乱の領域では,結晶の冷却条件に対する電荷キャリア移動度のより本質的な依存性が,アニーリング温度への依存性と比較して確立された。抵抗熱-emfの異方性パラメータの冷却速度に対する依存性を得ることに基づいて,引張抵抗とテンソル-熱-emfの測定結果の解析を行った。線形依存性M=M(lg(vacl))からの最大偏差の形での熱emfMの異方性パラメータの特徴を,8から15K/minまでの冷却速度の領域で明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 引張 ,  Czochralski法 ,  電気的性質 ,  リン ,  キャリア移動度 ,  *ケイ素 ,  *熱処理 ,  異方性 ,  ドーピング ,  冷却速度 ,  テンソル ,  温度依存性 ,  不純物
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  熱電特性 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン ,  熱処理 ,  冷却速度 ,  TENSO-Thermo-EMF ,  熱起電力の異方性パラメータ

分類 (1件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱処理 ,  シリコン ,  物理的性質