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J-GLOBAL ID：201802265722235274   整理番号：18A2052345

ミスト化学蒸着により作製したα-Ga₂O₃薄膜の表面形態と結晶度に及ぼす前駆体濃度と成長時間の影響

Influence of precursor concentration and growth time on the surface morphology and crystallinity of α-Ga₂O₃ thin films fabricated by mist chemical vapor deposition

著者 (4件)： NAKABAYASHI Yuji (Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  YAMADA Satoru (Department of Electrical Engineering, National Institute of Technology, Ishikawa College) ,  ITOH Satoshi (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  KAWAE Takeshi (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 126  号： 11  ページ： 925-930(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超広バンドギャップ半導体である酸化ガリウム(Ga₂O₃)の単結晶薄膜を,ミスト化学蒸着(ミストCVD)によりc面サファイア上に作製した。成長したα-Ga₂O₃薄膜は低い表面粗さを持ち,原子間力顕微鏡とX線回折を用いてそれらの初期結晶成長相を特徴づけた。前駆体濃度を変えることにより,薄膜の表面粗さと結晶性を変化させた。初期成長相におけα-Ga₂O₃薄膜の格子定数は,単結晶のそれとほぼ一致した。また,これらの薄膜は,ヘテロエピタキシャル成長することも分かった。最後に,ミストCVDはこのシステムにおいて非常に短い潜伏時間を持つ可能性があった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ミスト ,  化学蒸着 ,  *酸化ガリウム ,  α相 ,  *薄膜 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *結晶度 ,  前駆体 ,  濃度依存性 ,  薄膜成長 ,  単結晶 ,  サファイア ,  エピタクシー ,  表面粗さ ,  格子定数 ,  化合物半導体 ,  半導体
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  潜伏時間 ,  *表面形態

著者キーワード (7件)： ミスト化学蒸着 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  酸化ガリウム ,  エピタキシャル成長 ,  前駆体濃度 ,  表面形態 ,  結晶度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (32件)：

• 1) H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050001 (2013).
• 2) T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 040103 (2015).
• 3) S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 030101 (2015).
• 4) J. Millán, P. Godignon, X. Perpiñà, A. Pérez-Tomás and J. Rebollo, IEEE Trans. Power Electron., 29, 2155 (2014).
• 5) H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 7565-7586 (2006).

タイトルに関連する用語 (9件)： ミスト ,  化学蒸着 ,  作製 ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  表面形態 ,  結晶度 ,  前駆体 ,  成長