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J-GLOBAL ID：201802265954745230   整理番号：18A0718147

PSD構造を用いた裏面照射型CMOSイメージセンサの赤外線感度向上

Near-infrared Sensitivity Enhancement of a Back-illuminated Complementary Metal_Oxide Semiconductor Image Sensor with a Pyramid Surface for Diffraction Structure

著者 (9件)： 押山到 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  横川創造 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  池田晴美 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  蛯子芳樹 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  平野智之 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  大井上昂志 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  斉藤卓 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  萩本賢哉 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  岩元勇人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 42  号： 10(IST2018 11-25)  ページ： 51-54  発行年： 2018年03月02日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,近赤外感度向上を目的としてPSD(Pyramid Surface for Diffraction)を用いた裏面照射型CMOS(Complementary Metal_Oxide Semiconductor)イメージセンサについて報告する。近年,近赤外領域の波長を用いたイメージセンサの用途が拡大しており,近赤外感度を向上させることが重要な要素となっている。本CISは,フォトダイオード面に回折格子の役割を担うPSD構造を形成することで,光の回折を促して光の光路長を伸ばす特徴を持つ。これにより,波長850nmにおける量子効率は30%以上となった。単にPSD構造を形成するとノイズ特性が悪化するが,特別なプロセスを用いることで,ノイズ特性が劣化することなくPSD構造を形成することに成功した。回折した光は隣接画素へ漏れ込みやすいため,DTI(Deep Trench Isolation)を用いることで隣接画素への漏れ込みを抑制し,解像度の劣化を抑制することに成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  CMOS構造 ,  *フォトダイオード ,  フォトダイオードアレイ検出器 ,  検出器 ,  赤外線 ,  赤外線カメラ
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  PSD

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： PSD ,  CMOSイメージセンサ ,  赤外線 ,  感度向上