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J-GLOBAL ID：201802266074805152   整理番号：18A0388094

強磁性GaMnAs薄膜に対する電子照射の均一アニーリング効果【Powered by NICT】

Uniform annealing effect of electron irradiation on ferromagnetic GaMnAs thin films

著者 (10件)： Luo Jia (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Luo Jia (Key Laboratory of High Energy Density Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Xiang Gang (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Xiang Gang (Key Laboratory of High Energy Density Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Gu Gangxu (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Gu Gangxu (Key Laboratory of High Energy Density Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zhang Xi (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zhang Xi (Key Laboratory of High Energy Density Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Wang Hailong (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhao Jianhua (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 422  ページ： 124-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十年以上にわたり,研究者は強磁性GaMnAs試料のCurie温度を向上させる手段を探索され,その中で炉中で成長後アニーリングは最も重要なものとして扱われている。本研究では,Curie温度は初めて電子照射により改善できることを実証した。1.7MeVでの異なる線量電子照射(1×1014と1×1015と1×1016electrons/cm~2)を適用した,強磁性GaMnAs膜の磁気的および電気的性質の増強は,HR-XRD,SQUIDと磁気輸送測定により実験的に確認した。さらにSIMS特性化と分析は,電子線照射が上部表面と低い界面の両方に対するMn格子間原子を補償する双方向の外方拡散と再分布,従来の成長後アニーリングのそれとは明らかに異なる新たに発見された均一な効果をもたらすことを明らかにした。電子照射アニーリングの技術はGaMnAs膜のような電子および磁気化合物の性質を改善するための代替方法を提供する可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子間原子 ,  *焼なまし ,  キャラクタリゼーション ,  Curie温度 ,  放射線量 ,  界面 ,  再分布 ,  磁気 ,  *マンガン ,  *電子照射 ,  電気的性質 ,  *磁性 ,  *薄膜 ,  *強磁性
準シソーラス用語： 磁気輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子照射 ,  アニーリング ,  GaMnAs ,  磁性 ,  Mn格子間原子

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性 ,  薄膜 ,  電子照射 ,  アニーリング効果