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J-GLOBAL ID：201802266165315223   整理番号：18A0704169

低温薄膜形成研究と原子層堆積

著者 (1件)： 廣瀬文彦 (山形大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 461(CPM2017 115-135)  ページ： 23-26  発行年： 2018年02月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者はこれまでSiのエピタキシャル薄膜の低温成長の研究を端緒に,高品質な薄膜をいかに低温で作るかをテーマとした研究を30年間続けてきた。今日において,金属酸化物薄膜の室温原子層堆積技術を開発するに至り,その産業応用の研究を展開している。あらゆる電子デバイスは薄膜の接合であり,高品質な膜を低温で形成すること,急峻に制御された界面とすることはデバイスの性能向上と高信頼化に寄与する。本発表では,Siの低温エピタキシーと表面反応,表面界面をみることの重要さ,室温原子層堆積技術の開発について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *低温 ,  *エピタクシー ,  *化学蒸着 ,  *ケイ素 ,  *表面反応 ,  その場観察 ,  電気材料 ,  電子部品 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *ALD【蒸着】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• F. Hirose, M. Suemitsu, N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2003(1989).
• A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley Inc.
• 堀越源一,真空技術,東京大学出版会
• F. Hirose, M. Suemitsu, N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1881(1990).
• M. Shinohara, Y. Kimura, M. Saito, M. Niwano, Surf. Sci. 502, 96 (2002).

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  薄膜形成 ,  研究 ,  原子層堆積