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J-GLOBAL ID：201802266181318226   整理番号：18A0160127

ゾル-ゲル合成近赤外センサのためのCuOフォトトランジスタのp型【Powered by NICT】

Sol-Gel Processed p-Type CuO Phototransistor for a Near-Infrared Sensor

著者 (8件)： Lee Sojeong (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Lee Won-Yong (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Jang Bongho (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Taegyun (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Bae Jin-Hyuk (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Cho Kyoungah (Department of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kim Sangsig (Department of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Jang Jaewon (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 1  ページ： 47-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル処理CuO膜から構成される,溶液p型薄膜トランジスタを作製した。ゾル-ゲル,CuOバックゲート薄膜トランジスタの光電気特性を調査し,検出感度1.38×10~11(cm Hz ~1/2W~ 1)が達成された。ゾル-ゲルプロセスによるCuO薄膜トランジスタのためのこの検出感度は以前に報告された層状二次元材料系のそれよりも高く,一次元ナノワイヤ系に基づくデバイスのそれに匹敵した。著者らの結果は,ゾル-ゲル-加工,CuO光検出器システムの用途は,近赤外イメージングデバイス,センサ,太陽電池,及び今後のプリンテッドエレクトロニクスのためのp型インキなどの有望な候補であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *センサ ,  薄膜トランジスタ ,  ナノワイヤ ,  *赤外検出器 ,  光検出器 ,  一次元 ,  電気特性 ,  *フォトトランジスタ ,  インク ,  *酸化第二銅
準シソーラス用語： プリンテッドエレクトロニクス ,  近赤外イメージング ,  検出能 ,  バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾル-ゲル合成 ,  近赤外 ,  CuO ,  フォトトランジスタ