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J-GLOBAL ID：201802266203131278   整理番号：18A0850718

ハロゲン化物気相エピタクシーによるβ-Ga_2O_3層のホモエピタキシャル成長のための酸素源としてのO_2とH_2Oの比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of O₂ and H₂O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy

著者 (17件)： Konishi Keita (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Goto Ken (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Goto Ken (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Goto Ken (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Togashi Rie (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Togashi Rie (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588 Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Murakami Hisashi (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588 Japan) ,  Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Kuramata Akito (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Monemar Bo (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588 Japan) ,  Monemar Bo (Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden) ,  Kumagai Yoshinao (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kumagai Yoshinao (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588 Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 492  ページ： 39-44  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素源としてO_2又はH_2Oを用いたハロゲン化物気相エピタクシー(HVPE)によるβ-Ga_2O_3層のホモエピタキシャル成長を熱力学解析により調べ,成長後の測定特性と比較した。熱力学的解析は,Ga_2O_3成長が,Ga_2O_3堆積のための正の駆動力による酸素源を用いて,1000°Cでも期待されることを明らかにした。(001)β-Ga_2O_3基板上のホモエピタキシャル成長の実験結果は,H_2Oで成長させた層の表面がO_2で成長させたものより滑らかであることを示した。しかし,H2Oを用いて成長させたホモエピタキシャル層において,有効ドナー濃度(2×10~16cm-3)にほぼ等しい濃度のSi不純物の取り込みが確認された。これは,システム中の水素の存在による石英ガラス反応器の分解によって引き起こされた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸素 ,  ドナー ,  *HOMO ,  水素 ,  石英ガラス ,  不純物 ,  駆動力 ,  *ハロゲン化物 ,  ケイ素 ,  反応器 ,  *エピタクシー ,  *気相成長 ,  エピタキシャル層 ,  熱力学解析

著者キーワード (5件)： A1 熱力学的解析 ,  A3 ハロゲン化物気相エピタクシー ,  B1 酸化物 ,  B1 ガリウム化合物 ,  B2 半導体III-VI材料

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  酸素