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J-GLOBAL ID：201802266637900401   整理番号：18A0588501

0.9V/1,2 4mAプログラム電圧/電流と0.744μm~2セルを用いた22nm FD-SOIにおける32kb革新的ヒューズ(Iヒューズ)アレイ【Powered by NICT】

32Kb Innovative fuse (I-Fuse) array in 22nm FD-SOI with 0.9V/1.4mA program voltage/current and 0.744um² cell

著者 (5件)： Chung Shine (Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78) ,  Fang Wen-Kuan (Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78) ,  Lin Jay (Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78) ,  Yu Wen-Hua (Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78) ,  Hsiao J Y (Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒューズは熱暴走と以上のエレクトロマイグレーション(EM)しきい値の開始以下のプログラムされた革命的なOTPである。22nm FD-SOIについて,1R1T Iヒューズは0.9Vから1.4Vまで変化するプログラム電圧で0.744μm~2細胞および0.0312mm~232kbの配列構造を持つファイバである全アレイは,高電圧回路または電荷ポンプを必要としない。データ0と1のセル電流分布は非常に厳しいとの間の大きな分離容易に感知できることを示した。初切断設計は非常に小さい細胞電流変化を1,000時間150~°Cで行ってきた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流 ,  *電圧 ,  電流分布 ,  エレクトロマイグレーション ,  *ヒューズ
準シソーラス用語： チャージポンプ回路 ,  熱暴走 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4MA ,  セル ,  SOI ,  ヒューズ ,  アレイ