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J-GLOBAL ID：201802266758233145   整理番号：18A0844973

クロック付き磁歪支援SPintronicデバイスの設計とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Clocked Magnetostriction-Assisted Spintronic Device Design and Simulation

著者 (8件)： Mousavi Iraei Rouhollah (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Kani Nickvash (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Dutta Sourav (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Nikonov Dmitri E. (Components Research Group, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Manipatruni Sasikanth (Components Research Group, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Young Ian A. (Components Research Group, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Heron John T. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Naeemi Azad (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 5  ページ： 2040-2046  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全スピン論理(ASL)素子の遅延とエネルギー散逸を著しく改善する,磁石と圧電から成るヘテロ構造素子を提案した。本論文では,デバイスの物理を研究し,モデル化し,その動作を説明し,SPICEシミュレーションを用いてその性能を評価した。提案した素子は,元のASL素子の低電圧動作,非相反性,非揮発性,可cascad性,および熱信頼性を維持することを示した。さらに,エネルギー分布の鞍点から磁石の決定論的スイッチングを利用することにより,素子はエネルギーと遅延に関してより効率的であり,熱ゆらぎに対してロバストである。シミュレーションの結果は,ASLデバイスと比較して,提案したデバイスが32ビットの算術論理ユニットに対して,ビット当たり21×短い遅延と27×低いエネルギー散逸を達成することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー散逸 ,  エネルギー分布 ,  鞍点 ,  スイッチング ,  *シミュレーション ,  非揮発性 ,  ロバスト性 ,  *磁歪 ,  磁石 ,  モデリング ,  圧電気
準シソーラス用語： ALU【プロセッサ】 ,  熱ゆらぎ ,  非相反性 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： クロック ,  磁歪 ,  支援 ,  設計 ,  シミュレーション