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J-GLOBAL ID：201802266927623868   整理番号：18A1425007

グラフェン/HBN垂直ヘテロ構造のゲート依存トンネリング電流変調【JST・京大機械翻訳】

Gate-Dependent Tunnelling Current Modulation of Graphene/hBN Vertical Heterostructures

著者 (6件)： Iqbal Muhammad Zahir (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi, Khyber Pakhtunkhwa 23640, Pakistan) ,  Siddique Salma (Institute of Industrial Biotechnology, GC University Lahore, Lahore 54000, Pakistan) ,  Khan Muhammad Farooq (Department of Physics & Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 143-747, Korea) ,  Rehman Atteq ur (Department of Electrical Engineering, Sarhad University of Science and Information Technology, Peshawar, Pakistan) ,  Rehman Adil (Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi, Khyber Pakhtunkhwa 23640, Pakistan) ,  Eom Jonghwa (Department of Physics & Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 143-747, Korea)
資料名： Advanced Engineering Materials  (Advanced Engineering Materials)
巻： 20  号： 7  ページ： e1800159  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2018A  ISSN： 1438-1656  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状薄膜と組み合わせることにより,グラフェンは,ギャップのない半金属が機能できない領域を超えて,その応用範囲を拡大した。ここでは,異なる層間hBN厚さにおけるグラフェン/六方晶窒化ホウ素(hBN)垂直ヘテロ構造におけるトンネリング特性の変調を報告する。これらの結果は,hBN層厚による閾値電圧のアップシフトを示している。さらに,素子のゲート依存トンネリング特性を実証した。バックゲート電圧を用いて,底部グラフェン層のFermi準位を調整した。これは,超薄hBN層を通して閾値電圧とトンネル電流を同調させる。著者らの発見は,高周波論理およびトンネルデバイスにおけるそれらの潜在的応用のための垂直トランジスタのトンネリング特性を調整するための効果的なツールを提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半金属 ,  トランジスタ ,  *トンネル効果 ,  *グラフェン ,  *電流制御 ,  電圧 ,  Fermi準位 ,  層厚 ,  HF【周波数】 ,  薄膜
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  バックゲート ,  閾値電圧 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  しきい値電圧 ,  トンネル電流 ,  垂直ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  ゲート ,  トンネリング電流 ,  変調