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J-GLOBAL ID：201802267071992731   整理番号：18A0818735

GeドナードープGaN薄膜の構造特性と電気的性質に及ぼすZnアクセプタの共ドーピング効果と反応性スパッタリングにより作製したそのヘテロ接合ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Codoping effects of the Zn acceptor on the structural characteristics and electrical properties of the Ge donor-doped GaN thin films and its hetero-junction diodes all made by reactive sputtering

著者 (3件)： Thao Cao Phuong (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan) ,  Kuo Dong-Hau (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan) ,  Jan Der-Jun (Physics Division, Institute of Nuclear Energy Research (INER), Longtan District, Taoyuan City 32546, Taiwan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 82  ページ： 126-134  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるZn含有量を有するZnアクセプタ/Geドナー(Zn/Ge)共ドープGaN膜を,x=0,0.03,0.06,および0.09とGa:GaN=3:7のZn:Ge:(Ga+GaN)の組成原子比でのサーメットターゲットを用いて,300°Cと90~150WでSi基板上に蒸着した。このようなターゲットで作られた膜は,x=0,0.03,0.06,および0.09でのZn-x-GeGaNの省略された記号で示された。Zn-x-GeGaN膜に含まれる形態,構造,電気的性質,光学的性質およびヘテロ接合ダイオード素子を徹底的に調べた。特性評価によるn型Zn-0-GeGaNへの系統的なZnの増加は,固溶体の研究における支持情報を提供する。Zn-x-GeGaN膜はx=0.06と0.09でp型半導体に変換した。バンドギャップの値は,Zn-x-GeGaN膜におけるより高いZn含有量に対して,より低い値で,2.87~3.17eVの範囲にあった。RFパワーが高いと成長が速くなり,窒素が高くなり,堆積した膜のZn原子比が高くなった。120W堆積Zn-0.06-GeGaN膜は7.21×10~16cm-3の正孔濃度,39.1cm~2V~-1s-1の正孔移動度,0.45S/cmの電気伝導率を有していた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *亜鉛 ,  *ダイオード ,  *ヘテロ接合 ,  *構造特性 ,  *アクセプタ ,  バンドギャップ ,  光学的性質 ,  電気伝導率 ,  *反応性スパッタリング ,  *窒化ガリウム ,  *ドナー ,  *ドーピング ,  *電気的性質 ,  *薄膜 ,  固溶体

著者キーワード (6件)： Znアクセプタ ,  GEドナー ,  GaN ,  スパッタリング ,  薄膜 ,  電気的性質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (14件)： Ge ,  ドナー ,  ドープ ,  GaN ,  薄膜 ,  構造特性 ,  電気的性質 ,  Zn ,  アクセプタ ,  共ドーピング ,  反応性スパッタリング ,  作製 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード