Thao Cao Phuong について
Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan について
Kuo Dong-Hau について
Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan について
Jan Der-Jun について
Physics Division, Institute of Nuclear Energy Research (INER), Longtan District, Taoyuan City 32546, Taiwan について
Materials Science in Semiconductor Processing について
亜鉛 について
ダイオード について
ヘテロ接合 について
構造特性 について
アクセプタ について
バンドギャップ について
光学的性質 について
電気伝導率 について
反応性スパッタリング について
窒化ガリウム について
ドナー について
ドーピング について
電気的性質 について
薄膜 について
固溶体 について
Znアクセプタ について
GEドナー について
GaN について
スパッタリング について
薄膜 について
電気的性質 について
半導体薄膜 について
Ge について
ドナー について
ドープ について
GaN について
薄膜 について
構造特性 について
電気的性質 について
Zn について
アクセプタ について
共ドーピング について
反応性スパッタリング について
作製 について
ヘテロ接合 について
ダイオード について