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J-GLOBAL ID：201802267534585705   整理番号：18A0588578

CoSn3DスタックのためのIMC抵抗率と速度論的パラメータを抽出するための新しいその場抵抗測定【Powered by NICT】

A novel in-situ resistance measurement to extract IMC resistivity and kinetic parameter for CoSn 3D stacks

著者 (11件)： Hou Lin (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Derakhshandeh Jaber (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  De Coster Jeroen (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Wang Teng (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Cherman Vladimir (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Bex Pieter (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Rebibis Kenneth June (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Van De Plas Geert (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Beyer Gerald (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Beyne Eric (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  De Wolf Ingrid (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コバルト基UBM(アンダーバンプメタライゼーション)を特別に微細ピッチマイクロバンプでは3D積層のための興味あるする少ないUBM消費,単一および延性IMC(金属間化合物))と非Kirkendallボイド形成の利点を持っている。本論文で初めてCo-Sn IMCの電気的性質とIMC成長の速度論をその場抵抗測定により調べた。抽出されたパラメータは,従来の断面SEM解析により検証した。この技術は3DアプリケーションのためのUBMとはんだ材料のための非破壊的,迅速で正確な測定の利点を持っている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *速度論 ,  電気的性質 ,  *電気抵抗率 ,  金属間化合物 ,  *三次元 ,  延性 ,  応用プログラム
準シソーラス用語： マイクロバンプ ,  *抵抗測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： スタック ,  抵抗率 ,  速度論 ,  パラメータ ,  抵抗測定