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J-GLOBAL ID：201802267682332396   整理番号：18A0967930

BaTiO_3の歪効果により誘起された強磁性Pd(001)超薄膜の磁化の変化【JST・京大機械翻訳】

Change in magnetization of ferromagnetic Pd(001) ultrathin films induced by the strain effect of BaTiO₃

著者 (6件)： Ban Yusuke (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan) ,  Komatsu Katsuyoshi (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Sakuragi Shunsuke (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan) ,  Taniyama Tomoyasu (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kageshima Hiroyuki (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishikawatsu-cho, Matsue 690-8504, Japan) ,  Sato Tetsuya (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 14  ページ： 142409-142409-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiO_3基板の構造相転移に起因する歪効果により,Pd/SrTiO_3/BaTiO_3ヘテロ構造に強磁性を示すPd(001)超薄膜の飽和磁化の変化を実証した。電圧印加によって形成された単一ドメインを有するBaTiO_3基板が斜方晶相から正方晶相に移行したとき,Pdの飽和磁化は約5%減少した。正方晶構造相転移への斜方晶を伴う歪を仮定した第一原理計算は,磁化の3%~4%減少を示し,実験結果と一致した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁化 ,  斜方晶系 ,  計算 ,  *超薄膜 ,  *パラジウム ,  正方晶系 ,  *強磁性 ,  飽和磁化 ,  構造相転移
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  単分域 ,  電圧印加 ,  ヘテロ構造 ,  *歪効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪効果 ,  誘起 ,  強磁性 ,  Pd ,  薄膜 ,  磁化