文献

J-GLOBAL ID：201802267789403036   整理番号：18A1253798

太陽光発電または光触媒のための歪調整InSe/MOS_2二層van der Waalsヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Strain tuned InSe/MoS₂ bilayer van der Waals heterostructures for photovoltaics or photocatalysis

著者 (4件)： Zhang J. (Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, and School of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130022, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lang X. Y. ,  Zhu Y. F. ,  Jiang Q.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 26  ページ： 17574-17582  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる二次元材料の分離と垂直積層におけるそれらの組合せの可能性は,二次元結晶に基づくヘテロ構造の新しい材料システムをもたらした。密度汎関数理論を用いることにより,InSe/MoS_2二重層は,広い範囲(300~800nm)にわたる光吸収と光生成電子-正孔対の好ましい分離により0.65eVの間接バンドギャップを示すことを見出した。さらに,バンドギャップは外部歪工学により容易に調整でき,7%圧縮歪下で間接バンドギャップから1.55eVの直接バンドギャップへの遷移をもたらし,そこでは増強され連続スペクトルが存在した。さらに,9%の引張歪下では,二層は金属的である。これらの特性の全ては,歪工学によるヘテロ構造からの優れた光電素子の開発を可能にする。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  *光触媒 ,  *太陽光発電 ,  電子正孔対 ,  連続スペクトル ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 引張歪 ,  直接バンドギャップ ,  圧縮歪 ,  間接バンドギャップ ,  二重層 ,  *ヘテロ構造 ,  *InSe ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽光発電 ,  光触媒 ,  歪 ,  InSe ,  二層 ,  VAN ,  ヘテロ構造