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J-GLOBAL ID：201802267875554755   整理番号：18A0580647

照明強度の変動を用いたコロネン中間層によるAl/n-Si Schottkyダイオードにおけるダイオードパラメータの改善【Powered by NICT】

Improvement of diode parameters in Al/n-Si Schottky diodes with Coronene interlayer using variation of the illumination intensity

著者 (5件)： Pakma Osman (Department of Physics, Science and Art Faculty, Batman University, Batman, Turkey) ,  Cavdar Suekrue (Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Koralay Haluk (Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Tugluoglu Nihat (Department of Energy Systems Engineering, Faculty of Engineering, Giresun University, Giresun, Turkey) ,  Faruk Yueksel OEmer (Department of Physics, Faculty of Science, Selcuk University, Konya, Turkey)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 527  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Siウエハ上のコロネン薄膜をスピンコーティング法によって堆積させた。は最終的にAl/Coronene/n Si/In Schottkyダイオードを作製した。電流-電圧(I V)測定は,Schottkyダイオードの照明強度の影響を決定するために用いた。障壁高さ(ΦB)値は理想因子(n)値照明強度の増加と共に減少すると増加した。ΦB値は暗と100mW/cm~2で0.697と0.755eVであることが分かった。n値は暗と100mW/cm~2で2.81および2.07であることが分かった。さらに,電流-電圧測定を用いた改良Norde法と界面状態密度(N_SS)値から直列抵抗(R)値を決定した。Rの値は暗と100mW/cm~2で1924と5094Ωであることが分かった。N_SSの値は暗と100mW/cm~2で4.76×10~12と3.15×10~12eV~ 1cm~ 2であることを明らかにした。ダイオードパラメータは形成されたSchottkyダイオード照明強度の変化を適用することにより改善した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  電圧 ,  薄膜 ,  *ダイオード ,  *照明 ,  スピンコーティング ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電圧測定 ,  芳香族縮合炭化水素
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  界面状態密度 ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  シリコンウエハ ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機半導体 ,  コロネン ,  Schottkyダイオード ,  照明強度 ,  理想因子 ,  障壁高さ

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

物質索引 (1件)： コロネン

タイトルに関連する用語 (8件)： 照明 ,  コロネン ,  中間層 ,  Al ,  Si ,  Schottkyダイオード ,  ダイオード ,  パラメータ