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J-GLOBAL ID：201802268007853028   整理番号：18A1737760

シリコンドープ酸化スズフレキシブル薄膜トランジスタの調製と特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Properties of Flexible Thin Film Transistors with Si-incorporated SnO2 Active Layer

著者 (8件)： Zhang Jiandong (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Liu Xianzhe (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Zhang Xiaochen (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Li Xiaoqing (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Wang Lei (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Yao Rihui (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Ning Honglong (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640) ,  Peng Junbiao (華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 7  ページ： 968-973  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： フレキシブル非晶質シリコンドープ酸化スズ(SiSnO,STO)薄膜トランジスタの電気特性と曲げ状態下の電気特性を研究した。無線周波数マグネトロンスパッタリングにより、ポリイミド(Polyimide,PI)基質上にフレキシブルな非晶質シリコンドープ酸化スズ薄膜トランジスタを作製した。異なるアニーリング温度のデバイス性能を比較することで、300°Cで最適なデバイス性能が得られ、その飽和移動度は2.71cm2・V-1・s-1に達し、オンオフ比は106より高く、サブ閾値スイングは1.95V・dec-1で、閾値電圧は2.42Vである。異なる曲率半径(5,10,20,30mm)でのデバイスの出力特性と転移特性を測定し,曲げ状態の下の良好な電気特性を示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基質 ,  電気特性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  移動度 ,  *ドーピング ,  *薄膜トランジスタ ,  アモルファスシリコン ,  *酸化スズ
準シソーラス用語： 出力特性 ,  曲率半径 ,  閾値電圧 ,  サブ閾値スイング ,  オンオフ比 ,  アニーリング温度 ,  無線周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ドープ ,  酸化スズ ,  薄膜トランジスタ ,  調製