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J-GLOBAL ID：201802268118982938   整理番号：18A1002746

逐次熱蒸発法により堆積したCu_2Zn(SnGe)Se_4物理特性に及ぼすGe含有量の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Ge content on Cu₂Zn(SnGe)Se₄ physical properties deposited by sequential thermal evaporation technique

著者 (7件)： Gonzalez-Castillo J.R. (Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada, Unidad Altamira - Instituto Politecnico Nacional, (CICATA, UA - IPN), 89600 Altamira, Tamaulipas, Mexico) ,  Pulgarin-Agudelo F.A. (CONACYT - Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico) ,  Rodriguez-Gonzalez Eugenio (Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada, Unidad Altamira - Instituto Politecnico Nacional, (CICATA, UA - IPN), 89600 Altamira, Tamaulipas, Mexico) ,  Vigil-Galan O. (Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico) ,  Courel-Piedrahita Maykel (Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico) ,  Courel-Piedrahita Maykel (Instituto de Energias Renovables, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Temixco, Morelos 62580, Mexico) ,  Andrade-Arvizu J.A. (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1, 08930 Sant Adria del Besos-Barcelona, Spain)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 83  ページ： 96-101  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,連続熱蒸着法によるCu_2Zn(SnGe)Se_4化合物の合成と,この材料の電気的,光学的,構造的,形態的および化学的性質に及ぼすゲルマニウム含有量の影響を報告した。被覆モリブデンガラス基板上に堆積した金属スタックの秩序はCu/Sn/Cu/Zn/Geであった。最適と考えられるそれらに近いCu/(Zn+Sn)とZn/Sn組成比を得るために,Cu(3nm)/Sn(248nm)/Cu(105nm)/Zn(174nm)の厚さを一定に保ち,Ge層の厚さを10nmと50nmの間で変化させた。続いて,これらのスタックをセレン雰囲気中で熱処理し,化合物の結晶化を達成した。少量のゲルマニウムの取り込みは結晶粒サイズの成長と光学的性質を変えることなくよりコンパクトな表面形態を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒径 ,  光学的性質 ,  *亜鉛 ,  モリブデン ,  真空蒸着 ,  結晶化 ,  セレン ,  *スズ ,  *ゲルマニウム ,  *蒸発 ,  被覆
準シソーラス用語： 表面形態 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CZTGSE ,  ケステライト薄膜 ,  太陽電池 ,  物理的性質

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 逐次 ,  蒸発 ,  堆積 ,  物理特性 ,  Ge ,  含有量