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J-GLOBAL ID：201802268243621028   整理番号：18A0608006

相転移温度と導入共鳴エネルギードーピングの低減によるGe_1-x-_ySb_xIn_yTeにおける2.3のzTの実現【Powered by NICT】

Realizing zT of 2.3 in Ge_{1- x - y}Sb_xIn_yTe via Reducing the Phase-Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping

著者 (9件)： Hong Min (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia) ,  Hong Min (Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia) ,  Chen Zhi-Gang (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia) ,  Chen Zhi-Gang (Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia) ,  Yang Lei (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia) ,  Zou Yi-Chao (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia) ,  Dargusch Matthew S. (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia) ,  Wang Hao (Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia) ,  Zou Jin (Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201705942  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三方晶-立方晶相転移を持つGeTeは有望な無鉛熱電候補である。ここでは,理論的研究は立方晶GeTeは優れた熱電挙動,(1)電子輸送係数を高めるために二価電子バンドと(2)より低い固有熱伝導率を確実にするために強いenharmonicフォノン-フォノン相互作用に関連したを持っていることを明らかにした。実験では,最適化されたキャリア濃度を持つGe_1-xSb_xTeに基づいて,記録的性能指数は2.3で,Fermi準位近傍の状態密度の歪みを誘導するドーピングさらににより達成した。さらに,SbおよびIn共ドーピングは相転移温度を低下させる立方晶GeTeのより良い熱電挙動を低温にした。さらに,電子顕微鏡特性化は,粒界,高密度積層欠陥およびナノスケール析出物,避けられない点欠陥と共に劇的に減少した熱伝導率の結果を示した。基本研究と実験的実証は,高性能Pbフリー熱電材料の開発のための重要な方向を提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相転移 ,  *転移温度 ,  熱電材料 ,  フォノン ,  Fermi準位 ,  *アンチモン ,  三方晶系 ,  熱伝導率 ,  価電子バンド ,  キャリア密度 ,  立方晶系 ,  *ドーピング ,  状態密度 ,  性能指数
準シソーラス用語： GeTe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論計算 ,  GeTe合金 ,  相転移 ,  フォノン動力学 ,  熱電材料

分類 (4件)： 無機物質からなる多成分系の相平衡・状態図  (CB03015S) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相転移温度 ,  共鳴エネルギー ,  ドーピング