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J-GLOBAL ID:201802268406423924   整理番号:18A1255141

共鳴駆動シリコン2量子ビット量子ゲートの性能評価【JST・京大機械翻訳】

Performance Assessment of Resonantly Driven Silicon Two-Qubit Quantum Gate
著者 (2件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 1096-1099  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二量子ビット量子ゲートは量子計算において重要な役割を果たし,その動作は二つの量子ビット間のもつれに決定的に依存する。シリコン二重量子ドット(DQD)に基づく共鳴駆動制御NOT(CNOT)ゲートを理論的に研究した。二つの量子ビット間の交換結合の有効ゲート変調の物理的機構を明らかにした。量子ドット間隔と変調ゲート電圧の関数として,一重項-三重項エネルギー分割,ゲートスイッチング速度,およびゲート忠実度のスケーリング挙動を調べた。もつれ強度とゲートスイッチング速度は量子ドット間隔に指数関数的に依存することを示した。約10nmの小さな間隔は,デコヒーレンスの存在下で<1nsのCNOTゲート遅延と信頼できるゲートスイッチングを約束することができる。結果は,積極的にスケールしたシリコンDQDに基づく共鳴駆動二量子ビット量子ゲートの有望な性能ポテンシャルを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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