文献

J-GLOBAL ID：201802268664380840   整理番号：18A0634260

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

著者 (4件)： 山末耕平 (東北大 電通研) ,  加藤俊顕 (東北大 大学院) ,  金子俊郎 (東北大 大学院) ,  長康雄 (東北大 電通研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20p-C202-7  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 非線形感受率 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  二酸化ケイ素 ,  剥離 ,  *分布 ,  依存性 ,  *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *半導体薄膜 ,  走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  バイアス依存性 ,  *セレン化タングステン ,  遷移金属ダイカルコゲナイド
準シソーラス用語： *キャリア分布 ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  SiO2 ,  観察 ,  キャリア分布 ,  直流 ,  バイアス依存性