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J-GLOBAL ID：201802268805516775   整理番号：18A1383616

高絶縁破壊電圧と抵抗率を有する透明ZnO:Al_2O_3膜【JST・京大機械翻訳】

Transparent ZnO:Al₂O₃ films with high breakdown voltage and resistivity

著者 (6件)： Liu Shiying (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China) ,  Liu Shan (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China) ,  Zhou Yaoyao (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China) ,  Piao Yongjun (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China) ,  Li Guojian (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China) ,  Wang Qiang (Key Laboratory of Electromagnetic Processing of Materials (Ministry of Education), Northeastern University, Shenyang 110819, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 3  ページ： 032102-032102-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い絶縁破壊電圧と抵抗率を有する透明ZnO膜を,無線周波数支援蒸発法によって蒸着した。本論文では,ZnO:Al_2O_3の構造的,光学的,電気的性質を調べた。in situ成長膜における柱状構造の優先配向は,(002)に沿った。膜の抵抗率は電流の最大抵抗率より5桁大きかった。膜の破壊電圧(8571V/mm)は,ZnO半導体に対する最高の報告された絶縁破壊電圧よりも5倍高かった。さらに,ZnO:Al_2O_3膜は,膜が約7%のAl含有量と100nmの厚さを持つにもかかわらず,可視および赤外領域で透明であった。ZnO:Al_2O_3膜の高周波誘電定数はAl_2O_3のそれより高かった。透明ZnO:Al_2O_3膜挙動の可能な理由は,第二相Al_2O_3,低キャリア濃度,および強束縛電子であった。より少ない欠陥と強い結合はZnO膜の高い抵抗率への4桁の改善をもたらす。得られた結果は,ZnO:Al_2O_3が,太陽電池素子の効率を改善するために,p-n接合の間の絶縁層として使用できることを示唆している。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  誘電率 ,  HF【周波数】 ,  *電気抵抗率 ,  電流 ,  PN接合 ,  優先配向 ,  アルミニウム ,  *酸化亜鉛 ,  太陽電池 ,  蒸発 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  柱状構造 ,  無線周波数 ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁破壊電圧 ,  抵抗率 ,  ZnO