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J-GLOBAL ID：201802269025020339   整理番号：18A0446846

スケーラブル,サブ2μmピッチ,Cu/SiCN Cu/SiCNへのハイブリッドウエハボンディング技術【Powered by NICT】

Scalable, sub 2μm pitch, Cu/SiCN to Cu/SiCN hybrid wafer-to-wafer bonding technology

著者 (12件)： Beyne Eric (imec, Leuven, Belgium) ,  Kim Soon-Wook (imec, Leuven, Belgium) ,  Peng Lan (imec, Leuven, Belgium) ,  Heylen Nancy (imec, Leuven, Belgium) ,  De Messemaeker Joke (imec, Leuven, Belgium) ,  Okudur Oguzhan Orkut (imec, Leuven, Belgium) ,  Phommahaxay Alain (imec, Leuven, Belgium) ,  Kim Tae-Gon (imec, Leuven, Belgium) ,  Stucchi Michele (imec, Leuven, Belgium) ,  Velenis Dimitrios (imec, Leuven, Belgium) ,  Miller Andy (imec, Leuven, Belgium) ,  Beyer Gerald (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 32.4.1-32.4.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiCNとSiCN誘電結合を用いた対面ウエハ(W2W)結合への新しいアプローチを提示し,頂部及び底部ウエハに対する不等サイズおよび表面トポグラフィーのCuパッドを用いた直接Cu-Cu結合と組み合わせた。SiCN誘電体の使用は低アニーリング温度(250 °C)で高いW2W結合エネルギー(>2 J/m~2)を得ることができた。350°Cでのアニーリング後に得られた優れたCu-Cu結合,わずかに突出したCuトップパッドと僅かに凹んだCu底パッドをもたらし,新しいCMPプロセスを紹介した。パッドサイズの違い,必要なW2Wオーバレイ結合公差を可能にした。1.44μmピッチ(25%Cu密度)で720nm底パッドに結合したスケール360nmトップパッドのための結合した300mm Siウエハを横切って得られた優れた抵抗率と収率結果。0.72μmピッチで180nmトップパッドに540nm底パッドを結合して示されている小さいピッチの可能性。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  公差 ,  パッド ,  *銅 ,  結合エネルギー ,  誘電体 ,  焼なまし
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  表面トポグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  ピッチ ,  Cu ,  ウエハボンディング