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J-GLOBAL ID:201802269238155738   整理番号:18A1806774

有向NBTIエージングと回復によるSRAM PUFSの信頼性の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling the Reliability of SRAM PUFs With Directed NBTI Aging and Recovery
著者 (2件):
資料名:
巻: 26  号: 10  ページ: 2016-2026  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0516A  ISSN: 1063-8210  CODEN: ITCOB4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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インターネットが普及し続けているので,その中のデバイスは保護されなければならないより多くの個人情報を与えられている。この保護を提供するために,秘密鍵生成と認証のために用いることができるユニークな指紋を生成するために,シリコンの自然変動を利用する物理的非線形関数(PUF)として知られている装置を考案した。この指紋は,プロセス変動と雑音によって決定される競合回路におけるレース条件の定着に基づいていることが多い。本論文では,その指紋が各セルの傾向により決定され,それが出力後0または1を含むようにしたSRAM PUFに焦点を当てた。これらのセルは負のバイアス温度不安定性(NBTI)に対して敏感であるが,データを蓄積し,それらはそれらを含むデータからのそれらのパワーの傾向を押し上げる。正確な指紋を生成するためのSRAMの成功率を,NBTIを活性化し,上昇電圧と温度で加速した1日で0%に低減できる方法を示し,活性を用いて2日以内にほぼ100%まで回復でき,負電圧と高温でのNBTI回復を加速した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (4件):
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