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J-GLOBAL ID：201802269256445131   整理番号：18A1028584

InPに格子整合した反転薄膜太陽電池における開回路電圧の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced open circuit voltage in inverted thin film solar cells lattice-matched to InP

著者 (4件)： Oshima Ryuji (Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Makita Kikuo (Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Tayagaki Takeshi (Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Sugaya Takeyoshi (Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsP(1.05eV)とInGaAs(0.74eV)反転薄膜太陽電池を,分子線エピタクシーによりInPに格子整合させた。背面に高反射鏡を持つ薄膜太陽電池は,暗電流の逆飽和電流密度を下げることができ,Si支持基板上で処理された。InGaAsPに対しては0.587V,InGaAs反転セルに対しては0.335Vの大きな開回路電圧が観測され,InP基板上に処理されたInGaAsPに対しては0.568V,InGaAs直立セルに対しては0.304Vであった。結果として,InGaAsPおよびInGaAs反転薄膜セルにおいて,それぞれ11.76%および9.58%の高効率を達成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化リン化インジウムガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ素 ,  MBE成長 ,  *格子整合 ,  *リン化インジウム ,  反射鏡 ,  暗電流
準シソーラス用語： 高効率 ,  薄膜電池 ,  飽和電流密度 ,  *開回路電圧 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  格子整合 ,  反転 ,  薄膜太陽電池 ,  開回路電圧 ,  増強