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J-GLOBAL ID：201802269584930861   整理番号：18A0728899

SiフォトニクスのためのCMOS互換コンタクト技術【JST・京大機械翻訳】

CMOS-compatible contact technology for Si photonics

著者 (3件)： Rodriguez Philippe (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Ghegin Elodie (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Nemouchi Fabrice (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWJT  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Siフォトニック応用のためのn-InPとp-InGaAs上の著者らのグループで開発されたCMOS互換接触技術の短い概観を提示した。得られた結果は,広いスペクトルをカバーしている:表面調製と固体反応から電気的結果とレーザ集積に至る。Ni/InGaAs,Ni/InP,Ti/InGaAsおよびTi/InPを含むいくつかのシステムの冶金を研究した。研究した金属化の大部分は,n-InPとp-InGaAsの接触に対する効率的な解決策を提供する。最後に,低抵抗接触を統合するためのガイドラインを提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固相反応 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  レーザ ,  リン化インジウム ,  *CMOS ,  スペクトル ,  冶金 ,  メタライゼーション ,  チタン
準シソーラス用語： *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： データ保護  (JD01020V) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (3件)： Siフォトニクス ,  CMOS ,  コンタクト